IRGB15B60KD é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com diodo de recuperação ultrarrápida. Aqui estão algumas características técnicas e elétricas:

Tensão máxima coletor-emissor (VCES): 600V.
Corrente contínua do coletor (IC): 15A a 100°C.
Corrente máxima pulsada do coletor (ICM): 62A.
Tensão máxima porta-emissor (VGE): ±20V.
Dissipação máxima de potência (PD): 208W a 25°C.
Faixa de temperatura de operação: -55°C a +150°C.

Quanto à descrição dos pinos:

C (Coletor): Conectado à carga.
G (Gate): Controla o estado de condução do transistor.
E (Emissor): Conectado ao circuito de referência ou terra.
>>>GB15B60KD DATASHEET<<<