Características Técnicas:

1. Tecnologia Trench e Fieldstop: O K50T60 utiliza tecnologia Trench e Fieldstop, que proporciona alta velocidade de comutação e baixa perda de energia.

2. Diodo Anti-paralelo EmCon HE: Possui um diodo anti-paralelo de recuperação rápida e suave, o que melhora a eficiência e a performance.

3. Baixa Tensão de Saturação (VCE(sat)): A tensão de saturação típica é de 1,5 V, o que reduz as perdas de condução.

4. Temperatura de Junção Máxima: Pode operar até uma temperatura máxima de junção de 175°C.

5. Resistência ao Curto-Circuito: Pode suportar curtos-circuitos por até 5 µs.

6. Baixa EMI (Interferência Eletromagnética): Projeto que minimiza a EMI, ideal para aplicações automotivas.

7. Embalagem Verde: Embalagem ecológica, com coeficiente de temperatura positivo em VCE(sat).

Descrição dos Pinos:

1. C: Coletor

2. E: Emissor

3. G: Gate

4. D: Dreno (para o diodo anti-paralelo)   

   
   

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Especificações