2N7000 – MOSFET Canal N de Pequeno Sinal O 2N7000 é um transistor MOSFET de canal N em modo de enriquecimento, desenvolvido com tecnologia DMOS de alta densidade. É ideal para aplicações de chaveamento rápido e baixo consumo, oferecendo confiabilidade e excelente desempenho em circuitos compactos.

Características técnicas e elétricas principais:

• Tensão máxima dreno-fonte: 60 V

• Corrente contínua máxima: 200 mA

• Corrente de pulso: até 2 A

• Resistência RDS(on): tipicamente 5 Ω a VGS = 10 V

• Encapsulamento: TO-92, fácil de manusear e soldar

• Alta impedância de entrada e ganho elevado

• Faixa de temperatura de operação: -55 °C a +150 °C

Vantagens:

• Comutação rápida e eficiente

• Baixo consumo de energia e menor dissipação térmica

• Robusto e confiável para aplicações industriais e domésticas

• Simples de integrar em projetos de baixa potência

Aplicações comuns:

• Drivers de relés, solenoides e pequenas cargas

• Conversores e reguladores de tensão

• Circuitos de controle de motores pequenos

• Fontes de alimentação e sistemas embarcados

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Especificações