2N7002 – MOSFET Canal N de Baixa Potência O 2N7002 é um transistor MOSFET de canal N, desenvolvido para aplicações de comutação rápida e baixo consumo. Utiliza tecnologia Trench MOSFET, garantindo eficiência e confiabilidade em projetos compactos.

Características técnicas e elétricas principais:

• Tensão máxima dreno-fonte: 60 V

• Corrente contínua máxima: 300 mA

• Corrente de pulso: até 1,2 A

• Dissipação de potência: até 0,5 W

• Resistência RDS(on): tipicamente 2,8 Ω a VGS = 10 V

• Encapsulamento: SOT-23, ideal para montagem em superfície

• Faixa de temperatura de operação: -55 °C a +150 °C

Vantagens:

• Comutação muito rápida, ideal para circuitos digitais e drivers

• Baixo consumo e menor geração de calor

• Alta confiabilidade e robustez em aplicações industriais e de consumo

• Design compacto, perfeito para placas de alta densidade

Aplicações comuns:

• Conversores de nível lógico

• Drivers de linha de alta velocidade

• Controle de pequenos motores e cargas de baixa potência

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Especificações