⚙️ Características principais

• MOSFET de potência N‑Channel para aplicações de chaveamento rápido

• Indicado para fontes chaveadas, drivers de motores e conversores

• Baixa resistência RDSon típica, permitindo menor dissipação

• Estrutura robusta para operação em alta tensão

• Encapsulamento TO‑3P adequado para alta corrente

• Comportamento estável em cargas indutivas

✅ Características elétricas

• Tensão máxima drenagem‑fonte de 500V

• Corrente máxima de dreno de 15A

• Tensão máxima porta‑fonte de 30V

• Dissipação máxima de potência de 150W

• Resistência RDSon máxima de 0.4 ohm

• Tempo de subida típico de 30ns

• Capacitância de saída típica de 220pF

• Temperatura máxima de junção de 150°C

⭐ Vantagens

• Alta eficiência em chaveamento devido ao baixo RDSon

• Suporta altas tensões, ideal para fontes e inversores

• Baixa carga de gate, facilitando o acionamento

• Alta confiabilidade térmica e elétrica

  
  >>>2SK3235 DATASHEET<<<

Especificações