Produto novo e original                      

GT30J127 é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de canal N. Aqui estão algumas das suas principais características técnicas e a descrição dos pinos:

Características Técnicas:

Tensão de Coletor-Emissor (VCE): 600V

Corrente de Coletor Contínua (IC): 200A

Dissipação de Potência (Pc): 226W

Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCE(on)): 1.95V

Encapsulamento: TO-220FP

Descrição dos Pinos:

Pin 1: Gate (G) - O terminal de controle que regula o fluxo de corrente entre o coletor e o emissor.

Pin 2: Coletor (C) - O terminal pelo qual a corrente flui para dentro do IGBT.

Pin 3: Emissor (E) - O terminal pelo qual a corrente flui para fora do IGBT.

>>>GT30J127 DATASHEET<<<

Especificações