O IRFB5620 é um transistor MOSFET do tipo canal-N, fabricado pela Infineon Technologies. Vamos dar uma olhada nas suas características elétricas:

Tensão de ruptura entre dreno e fonte (Vds): 200 V1.

Corrente de drenagem contínua (Id): 25 A1.

Resistência entre dreno e fonte (Rds On): 72,5 mOhms1.

Tensão de porta e fonte (Vgs): -20 V a +20 V1.

Carga na porta (Qg): 25 nC1.

Dissipação de potência (Pd): 144 W1.

Temperatura operacional mínima: -55 °C1.

Temperatura operacional máxima: +175 °C1.

Em resumo, o IRFB5620 é um MOSFET de canal-N robusto, adequado para aplicações de potência e eletrônica. Ele permite o controle da corrente entre o dreno e a fonte por meio da tensão aplicada à porta    

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Especificações