Características Técnicas

• Tipo: MOSFET Complementar

• Tensão de Dreno-Fonte (VDS): 30V (N-Channel) / -30V (P-Channel)

• Corrente de Dreno (ID): 6A (N-Channel) / -6.5A (P-Channel) a VGS=10V

• Resistência de Canal Aberto (RDS(ON)): Menos de 30mΩ (N-Channel) / Menos de 28mΩ (P-Channel) a VGS=10V

• Capacidade de Porta Total (Qg): 5.2nC (N-Channel) / 6.7nC (P-Channel) a VGS=10V

• Tensão de Gate-Fonte (VGS): ±20V

• Tensão de Limiar (VGS(th)): 1.2V a 2.4V (N-Channel) / -2.4V a -1.2V (P-Channel)

• Tensão de Operação Máxima: 30V (N-Channel) / -30V (P-Channel)

• Tensão de Avalanche: 10A (N-Channel) / 23A (P-Channel)

• Tensão de Dissipação de Potência: 2W (N-Channel) / 2W (P-Channel) a 25°C

Descrição de Pinos

• Pin 1: N-Channel Drain

• Pin 2: N-Channel Gate

• Pin 3: N-Channel Source

• Pin 4: P-Channel Drain

• Pin 5: P-Channel Gate

• Pin 6: P-Channel Source

• Pin 7: N-Channel Drain

• Pin 8: N-Channel Gate

Funcionamento

O AO4606 é um MOSFET complementar que utiliza tecnologia de trincheamento avançada para fornecer excelente RDS(ON) e baixa carga de porta. Ele pode ser usado para formar um interruptor de alta tensão deslocado, entre outras aplicações. A combinação de MOSFETs complementares permite a criação de circuitos eficientes e compactos.

Vantagens

• Baixa Resistência de Canal Aberto (RDS(ON)): Reduz a perda de energia e melhora a eficiência.

• Baixa Carga de Porta (Qg): Permite tempos de comutação rápidos, ideal para aplicações de alta frequência.

• Alta Tensão de Avalanche: Melhora a robustez e a confiabilidade do dispositivo.

• Baixa Tensão de Limiar (VGS(th)): Facilita a ativação do MOSFET.

• Tecnologia de Trincheamento Avançada: Oferece melhor desempenho e menor consumo de energia.   

  
  

  >>>AO4606 DATASHEET<<<

Especificações