FQPF6N60C é um MOSFET de canal N que oferece as seguintes características:Tensão máxima dreno-fonte (VDSS): 600 V.Corrente de dreno contínua (ID): 5.5 A a TC = 25°C e 2.3 A a TC = 100°C.Corrente de dreno pulsada (IDM): 14.4 A.Tensão máxima porta-fonte (VGSS): ±30 V.Energia de avalanche pulsada única (EAS): 440 mJ.Corrente de avalanche (IAR): 3..