Produto novo e original                      

⚙️ Características Técnicas e Elétricas

• Tipo: HEXFET® Power MOSFET canal N

• Tensão de Dreno-Fonte (Vds): 250 V

• Corrente de Dreno Contínua (Id): 11 A @ 25 °C

• Resistência On (Rds(on)): 0.38 Ω máx. @ Vgs = 10 V

• Tensão de Gate-Fonte (Vgs): ±20 V

• Capacitância de Entrada (Ciss): 750 pF

• Encapsulamento: TO-220AB isolado (ideal para montagem em dissipadores sem isolação adicional)

• Temperatura de operação: -55 °C a +150 °C

✅ Vantagens

• Baixa resistência Rds(on): reduz perdas de condução e melhora a eficiência energética

• Alta capacidade de corrente de pico repetitiva: ideal para aplicações com pulsos de alta intensidade

• Encapsulamento isolado: facilita montagem térmica sem necessidade de isoladores adicionais

• Tecnologia avançada de processo: garante maior confiabilidade e desempenho em aplicações exigentes  

  >>>IRFI4229PbF DATASHEET<<<

  
  

Especificações