O IRFS3306 é um MOSFET de potência N-Channel HEXFET com as seguintes características:

Tensão máxima dreno-fonte (VDSS): 60V1.

Corrente contínua de dreno (ID) a TC = 25°C:

Silicon Limited: 160A1.

Wire Bond Limited: 120A1.

Corrente contínua de dreno (ID) a TC = 100°C (Silicon Limited): 110A1.

Corrente pulsada de dreno (IDM): 620A1.

Dissipação máxima de potência (PD) a TC = 25°C: 230W1.

Fator de derivação linear: 1.5W/°C1.

Tensão porta-fonte (VGS): ±20V1.

Pico de recuperação de diodo dv/dt: 14V/ns1.

Faixa de temperatura operacional e de armazenamento (TJ, TSTG): -55 a +175°C1.

Temperatura de soldagem, por 10 segundos (1.6mm do caso): 300°C1

>>>>>IRFB3306 / IRFS3306 DATASHEET<<<<<

Especificações