IRGB4062D é um Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) com Diodo de Recuperação Suave Ultrarrápida. Aqui estão algumas de suas principais características:

Tecnologia de trincheira IGBT com baixa tensão VCE (ON).
Baixas perdas de comutação.
Temperatura máxima de junção de 175 °C.
Quadrado RBSOA (Área Segura de Operação Reversa) para todas as peças testadas.
Coeficiente de temperatura positivo para VCE (ON).
Diodo Co-Pak de recuperação suave ultrarrápida.