O NTR4501PTLG é um MOSFET de potência canal P, não canal N. O datasheet oficial da onsemi confirma que se trata de um dispositivo P‑Channel, com tensão de drenagem-fonte de −20 V e características otimizadas para chaveamento de cargas em dispositivos portáteis.

⚡ Características técnicas e elétricas (conforme datasheet oficial da onsemi)

Fabricante: onsemi
Tipo: MOSFET canal P, single, trench
Tensão drenagem-fonte (VDSS): −20 V
Corrente de drenagem contínua: −2,4 A a 25 °C em regime estável
Corrente de drenagem contínua: −1,7 A a 85 °C em regime estável
Corrente de drenagem em pulso: até −18 A
Resistência RDS(on):
- 70 mΩ típica a VGS de −4,5 V
- 90 mΩ típica a VGS de −2,5 V
- 112 mΩ típica a VGS de −1,8 V
Tensão de porta-fonte (VGS): ±8 V
Dissipação de potência: até 0,73 W em regime contínuo, 1,25 W em pulso
Encapsulamento: SOT‑23
Dispositivo Pb‑Free, Halogen Free, RoHS compliant

???? Vantagens

Canal P de baixa tensão, ideal para chaveamento de cargas em portáteis e gerenciamento de bateria.
Baixa resistência RDS(on), reduzindo perdas de condução e aumentando a eficiência energética.
Compatível com acionamento de baixa tensão de porta, permitindo controle direto por lógica de 2,5 V.
Encapsulamento compacto SOT‑23, adequado para placas densas e dispositivos móveis.
Alta confiabilidade, com construção robusta e conformidade ambiental.
Aplicações

>>>>NTR4501PTLG DATASHEET<<<<