O NTR4171P é um MOSFET de potência canal P fabricado pela onsemi, projetado para aplicações portáteis e de gerenciamento de carga. Ele suporta tensão de drenagem-fonte de 30 V, corrente de até 3,5 A em pulso e resistência RDS(on) de 75 mΩ.

⚡ Características técnicas e elétricas

Fabricante: onsemi
Tipo: MOSFET de potência canal P
Tensão drenagem-fonte (VDSS): 30 V
Corrente de drenagem contínua: até 2,2 A a 25 °C, 1,5 A a 85 °C
Corrente de drenagem em pulso: até 3,5 A
Resistência RDS(on): 75 mΩ típica a VGS de -10 V
Tensão de porta-fonte (VGS): ±12 V
Dissipação de potência: 0,48 W em regime contínuo, até 1,25 W em pulso
Encapsulamento: SOT-23
Dispositivo livre de chumbo (Pb-Free)

???? Vantagens

Baixa resistência RDS(on): reduz perdas de condução e melhora a eficiência energética.
Baixa tensão de limiar: permite acionamento com níveis de tensão reduzidos, ideal para dispositivos portáteis.
Recuperação rápida e alta capacidade de corrente: adequado para chaveamento em alta frequência.
Compacto: encapsulamento SOT-23 facilita integração em placas pequenas.
Confiabilidade: junção passivada em vidro e conformidade com normas ambientais (Pb-Free).
Aplicações típicas: chaveamento de carga em celulares, PDAs, players de mídia, gerenciamento de bateria e fontes portáteis.