MMF60R360P da MagnaChip – um MOSFET de potência –, enfatizando os parâmetros de tensão, corrente e potência. Ressalto que os valores listados abaixo são típicos e podem variar conforme as condições de teste, o layout térmico e outros fatores. Para dimensionamento e projeto final, é fundamental consultar o datasheet oficial do fabricante.

Características Elétricas Típicas

• Tensão Drain-to-Source (V_DS):

  • 600 V Este é o valor máximo de tensão que o dispositivo pode suportar entre o Drain e o Source quando está em modo de bloqueio.

• Corrente de Dreno Contínua (I_D):

  • 60 A (típico) Representa a corrente máxima que pode ser conduzida de forma contínua pelo dispositivo, sob condições de temperatura e de montagem (com dissipador adequado).

• Resistência em Condução (R_DS(on)):

  • Aproximadamente 0.36 Ω (valor indicado no próprio código “R360”) Este é o valor típico da resistência do canal quando o MOSFET está totalmente ligado, definindo as perdas por condução (P = I²·R).

• Potência Dissipada (P_D):

  • Em condições ideais de montagem térmica, a potência máxima que pode ser dissipada pode estar na ordem de 200 W ou mais, dependendo do sistema de dissipação (dissipador, refrigeração, etc.) e das condições ambientais.

• Outros Parâmetros de Relevância:

  • Tensão Máxima do Gate (V_GS max): Geralmente em torno de ±20 V, definindo o limite seguro para aplicação de tensão no Gate.

  • Tensão de Limiar do Gate (V_GS(th)): Normalmente na faixa de 4 a 5 V, que é a tensão mínima necessária para iniciar a condução.  

    
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Especificações