Transistor MOSFET 2SK2837

⚙️ Características principais

• Transistor MOSFET N-Channel da Toshiba, tipo π-MOSV.

• Aplicações: reguladores chaveados, conversores DC-DC e acionamento de motores.

• Baixa resistência de condução (RDS(on) típico: 0,21 Ω).

• Alta condutância de transferência (Yfs típico: 17 S).

• Corrente de fuga reduzida (IDSS máx.: 100 μA).

• Peso típico: 4,6 g.

✅ Características elétricas

• Tensão máxima drenagem-fonte (VDSS): 500 V.

• Tensão máxima porta-fonte (VGSS): ±30 V.

• Corrente de drenagem contínua: 20 A.

• Corrente de pulso: até 80 A.

• Dissipação máxima de potência: 150 W.

• Energia de avalanche de pulso único: 960 mJ.

• Temperatura máxima de canal: 150 °C.

• Resistência térmica canal-caso: 0,833 °C/W.

• Resistência térmica canal-ambiente: 50 °C/W.

• Tempo de subida típico: 30 ns.

• Tempo de descida típico: 50 ns.

• Carga total de gate: 80 nC.

⭐ Vantagens

• Alta eficiência em chaveamento rápido.

• Excelente desempenho em aplicações de alta potência.

• Confiabilidade elevada em conversores e reguladores.

• Baixa dissipação de calor devido à baixa resistência interna.

• Ideal para projetos industriais e automotivos.

  
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Especificações