⚙️ Características principais • MOSFET de potência tipo N, desenvolvido pela Fuji Electric • Suporta alta tensão de até 600 • Baixa resistência RDS(on) típica de 0.12, ideal para alta eficiência • Estrutura otimizada para chaveamento rápido • Indicado para fontes chaveadas, UPS, conversores e aplicações industriais

✅ Características elétricas • Tensão drenagem‑fonte: 600 • Corrente contínua: 43A • Corrente de pulso: 172A • Tensão limiar de gate: 3.0 a 5.0 • Corrente de fuga IDSS: até 25µA a 25°C • RDS(on) típico: 0.12 com VGS de 10V • Capacitância de entrada Ciss: 5360 a 8040pF • Tempo de acionamento rápido: ton típico 80ns • Tempo de desligamento: toff típico 190ns • Carga total de gate QG: 112 a 168nC

⭐ Vantagens • Alta robustez e capacidade de avalanche • Excelente desempenho térmico • Baixa dissipação e alta eficiência energética • Ideal para projetos que exigem alta confiabilidade • Comportamento estável em chaveamento de alta velocidade

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