Características Elétricas e Técnicas

• Tipo: MOSFET de Potência de Efeito de Campo (CoolMOS™ E6)

• Tensão de Dreno-Fonte (VDS): 600V

• Resistência de Canal Aberto (RDS(on)): 0.6 Ω

• Capacidade de Porta Total (Qg): 20.5 nC

• Corrente de Dreno (ID): 19 A (pico)

• Capacitância de Entrada (Ciss): 180 pF

• Capacitância de Saída (Coss): 81 pF

• Capacitância de Transferência Reversa (Crss): 15 pF

• Tensão de Operação Máxima: 650V

• Tensão de Dissipação de Potência: 2W

Descrição dos Pinos

• Pin 1: Dreno (Dr)

• Pin 2: Porta (G)

• Pin 3: Fonte (S)

Funcionamento

O IPD6R600E6 é um MOSFET de potência projetado para aplicações de alta eficiência e alta tensão. Ele controla o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte com base na tensão aplicada na porta, atuando como um interruptor eletrônico. A tecnologia CoolMOS™ E6 oferece baixíssimas perdas de comutação e condução, tornando-o ideal para aplicações de comutação rápida.

Vantagens

• Baixa Resistência de Canal Aberto (RDS(on)): Reduz a perda de energia e melhora a eficiência.

• Baixa Capacitância de Entrada: Melhora a resposta do circuito em aplicações de alta frequência.

• Alta Tensão de Dreno-Fonte: Adequado para aplicações de alta tensão.

• Baixa Capacidade de Porta Total (Qg): Permite tempos de comutação rápidos.

• Tecnologia CoolMOS™ E6: Oferece baixíssimas perdas de comutação e condução.  

  
  

  >>>IPD6R600E6 DATASHEET<<<

Especificações