1N0608 é um MOSFET de canal N no encapsulamento TO-263, amplamente utilizado em aplicações de potência. Aqui estão algumas de suas características técnicas e elétricas:

Tensão máxima de dreno-fonte (VDS): 60V.
Corrente máxima de dreno (ID): 120A (contínua) e até 320A (pulsada).
Tensão máxima de porta-fonte (VGS): ±20V.
Resistência de condução (RDS(on)): Aproximadamente 6,5mΩ a 8mΩ com VGS = 10V.
Dissipação de potência (PD): 208W.
Faixa de temperatura de operação: -55°C a +175°C.

Descrição dos pinos:

D (Drain ou Dreno): Conectado à carga.
G (Gate ou Porta): Controla o estado de condução do transistor.
S (Source ou Fonte): Conectado ao circuito de referência ou terra.
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