⚙️ Características Técnicas e Elétricas

Tipo: Driver de gate para MOSFETs e IGBTs (high-side e low-side)
Tensão de alimentação (V<sub>CC</sub>): 10 V a 20 V
Tensão máxima flutuante (V<sub>OFFSET</sub>): até 500 V
Corrente de saída: até 2,5 A (source e sink)
Tempo de propagação:
- Ligamento: ~120 ns
- Desligamento: ~94 ns
Compatível com lógica CMOS e TTL, incluindo 3,3 V
Encapsulamento: SOIC-16 ou PDIP-14
Proteções:
- Bloqueio por subtensão (UVLO)
- Imunidade a transientes e ruído (dV/dt)

✅ Vantagens

Ideal para controle de meia ponte, ponte completa e inversores
Permite acionar MOSFETs de canal N no lado alto sem fonte dedicada (via bootstrap)
Alta velocidade de comutação para aplicações industriais e automotivas
Excelente imunidade a ruído eletromagnético (EMI)
Compatível com fontes chaveadas, controle de motores e inversores senoidais

>>>IR2110 DATASHEET<<<