IRF5210PBF é um MOSFET de canal P da Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta potência. Aqui estão algumas das principais características de funcionamento, descrição dos pinos e vantagens:
Características de funcionamento:
Tensão de dreno-fonte (Vdss): -100V
Resistência de condução (Rds(on)): 60mΩ
Corrente de dreno contínua (Id): -40A
Capacidade de carga de porta (Qg): 120nC
Tipo de embutimento: TO-220
Aplicações: DC motors, inversores, fontes de alimentação de comutação (SMPS), iluminação, switches de carga e aplicações alimentadas por bateria
Descrição dos pinos:
Dreno (Drain): Conectado ao circuito de saída.
Fonte (Source): Conectado ao terra ou ponto de referência.
Porta (Gate): Conectado ao sinal de controle para ligar/desligar o MOSFET.
Encapsulamento TO-220: Pacote padrão para dissipação de calor.
Vantagens:
Alta eficiência: Baixa resistência de condução, o que reduz as perdas de energia.
Alta capacidade de corrente: Adequado para aplicações que requerem alta corrente.
Proteção contra sobretensão: Adequado para aplicações que podem sofrer picos de tensão.
Disponibilidade: Amplamente disponível e fácil de obter.
Durabilidade: Projetado para ser robusto e durável em diversas condições de operação.
Especificações
Produto | TRANSISTOR |
Tipo | MOSFET |
Tipo | P-CHANNEL |
Encapsulamento | TO220AB |
Tensão | 100V |
Corrente | 40A |
IRF5210PBF - TO220AB
- Marca: ISC
- Modelo: TO220AB
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