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O IRF640N é um transistor MOSFET do tipo canal-N com várias características importantes para aplicações de potência. Aqui estão os detalhes:

Tensão máxima dreno-fonte (Vds): 200V.

Tensão máxima gate-fonte (Vgs): ±20V.

Corrente máxima de dreno (Id): 18A.

Resistência de estado ativo dreno-fonte (Rds): 0,180 Ohm.

Potência máxima de dissipação: 125W.

Carga total do gate: 70 nC.

Faixa de temperatura de operação: -55 a +175 °C.

Encapsulamento: TO-220AB.  


>>>IRF640N DATASHEET<<<





Especificações

Produto TRANSISTOR
Tipo MOSFET
Encapsulamento TO220AB
Polaridade N-CHANNEL
Tensão 200V
Corrente 18A

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IRF640N - TO220AB

  • Marca: FAIRCHILD
  • Modelo: TO220AB
  • Visto: 2516

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