Características Técnicas

Tipo de Transistor: NPN
Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 160V
Tensão Coletor-Base (VCBO): 180V
Tensão Emissor-Base (VEBO): 6V
Corrente Contínua do Coletor: 600 mA
Temperatura de Operação e Armazenamento: -55°C a +150°C
Dissipação de Potência: 350 mW

Descrição dos Pinos

Pin 1: Coletor (C)
Pin 2: Base (B)
Pin 3: Emissor (E)

Funcionamento

O MMBT5551 é um transistor de uso geral, principalmente utilizado para amplificadores de alta tensão e controladores de displays de descarga de gás. Ele funciona como um interruptor e amplificador em circuitos eletrônicos, controlando a corrente entre o coletor e o emissor com base no sinal de entrada aplicado à base.

Vantagens

Versatilidade: Ideal para aplicações de amplificação de baixa potência e comutação.
Alta Tensão: Capaz de lidar com altas tensões, tornando-o adequado para diversas aplicações industriais.
Compacto: Projetado em um encapsulamento SOT-23, o que economiza espaço na placa.
Compatível com RoHS: Livre de chumbo e halogênios, cumprindo com as normas ambientais.

>>>MMBT5551 DATASHEET<<<