O SiHG20N50C é um MOSFET de potência da Vishay Siliconix. Vamos analisar suas características:

Tensão (VDS): A tensão dreno-fonte máxima é de 500 V.

Resistência dreno-fonte (RDS(on)): Com tensão de 10 V, a resistência é de 0,225 Ω a 0,270 Ω.

Corrente contínua dreno (ID): A uma temperatura de 25 °C, a corrente contínua máxima é de 20 A.

Potência dissipada (PD): A potência máxima que ele pode dissipar é de 250 W.

Carga do gate (Qg): A carga máxima do gate é de 76 nC.

Tensão de limiar do gate (VGS(th)): A tensão de limiar é de 3,0 V a 5,0 V.

Capacitância de entrada (Ciss): A capacitância de entrada é de 2451 pF a 2942 pF.

Capacitância de saída (Coss): A capacitância de saída é de 300 pF a 360 pF.

Capacitância de transferência reversa (Crss): A capacitância de transferência reversa é de 26 nC a 32 nC.

Em resumo, o SiHG20N50C é um MOSFET robusto com alta capacidade de corrente e baixa resistência. Ele é usado em aplicações de potência, como conversores DC-DC, inversores e amplificadores  

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Especificações