O FQP85N06 é um MOSFET (transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor) do tipo N-channel. Aqui estão suas principais características:

Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vds): 60 V

Corrente Contínua de Dreno (Id): 85 A

Resistência On-State (RDS(on)): 0,010 Ω @ VGS = 10 V

Carga de Porta Baixa (Qg): 86 nC (tipicamente)

Capacitância de Saída (Crss): 165 pF (tipicamente)

Comutação Rápida

Testado para avalanche a 100%

Capacidade aprimorada de dv/dt

Classificação máxima de temperatura da junção: 175°C

O FQP85N06 é adequado para aplicações de baixa tensão, como automotivas, conversores DC/DC e comutação de alta eficiência para gerenciamento de energia em produtos portáteis e operados por bateria

>>>>FQP85N06 DATASHEET<<<<

Especificações