O IRGB20B60PD1PbF é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) da série WARP2 da Infineon Technologies. Vamos analisar suas características:

Tensão e Corrente:

Tensão Coletor-Emissor (VCES): 600V1.

Corrente Contínua do Coletor (IC):

25°C: 40A.

100°C: 22A.

Corrente de Pico (ICM): 80A.

Corrente de Pico em Carga Indutiva (ILM): 80A.

Potência:

Dissipação Máxima de Potência (PD):

25°C: 215W.

100°C: 86W.

Outras Características:

Tecnologia NPT (Tecnologia de Polaridade Negativa).

Coeficiente de Temperatura Positivo.

Baixa Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCE(SAT)).

Capacitâncias Parasitas Reduzidas.

Diodo HEXFRED Ultra Rápido de Recuperação Suave (co-embalado).

Distribuição Mais Precisa de Parâmetros.

Maior Confiabilidade.

Benefícios:

Operação Paralela para Aplicações de Alta Corrente.

Menores Perdas de Condução e Comutação.

Frequência de Comutação Mais Alta (até 150kHz).

>>>>IRGB20B60PD1PBF DATASHEET<<<<

Especificações