FDPF18N50 é um MOSFET de canal N da Fairchild Semiconductor, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência, como correção de fator de potência (PFC) e fontes de alimentação de comutação (SMPS). Aqui estão algumas das principais características técnicas e descrição dos pinos:

Características Técnicas:

1. Tensão de Dreno a Fonte (VDS): 500V

2. Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 265 mΩ (máximo) @ VGS = 10V, ID = 9A

3. Corrente de Dreno Contínua (ID): 18A

4. Corrente de Pico de Dreno (IDM): 72A (por 8,3ms)

5. Capacitância de Entrada (Ciss): 2830 pF

6. Capacitância de Saída (Coss): 330 pF

7. Capacitância de Transferência (Crss): 38 pF

8. Tempo de Ligamento (ton): 22 ns

9. Tempo de Desligamento (toff): 60 ns

10. Resistência Térmica de Canal para Ambiente (Rth(ch-a)): 58°C/W

11. Faixa de Operação de Temperatura: -55°C a +150°C

12. Encapsulamento: TO-220AB

Descrição dos Pinos:

1. Pin 1: Dreno (Drain) - O terminal pelo qual a corrente flui para dentro do MOSFET.

2. Pin 2: Porta (Gate) - O terminal de controle que regula o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

3. Pin 3: Fonte (Source) - O terminal pelo qual a corrente flui para fora do MOSFET.

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Especificações