O FDPF51N25 é um transistor MOSFET de potência Canal N da tecnologia UniFET™, ideal para aplicações em fontes de alimentação chaveadas, correção de fator de potência (PFC) e conversores de alta eficiência. Ele combina baixa resistência de condução, comutação rápida e encapsulamento plástico totalmente isolado TO-220F, garantindo excelente desempenho térmico e segurança operacional em circuitos exigentes.

⚙️ Características principais

• Tipo: Transistor MOSFET de Potência Canal N (UniFET™)

• Fabricante de referência: onsemi / Fairchild Semiconductor

• Encapsulamento: TO-220F (TO-220 Fullpack de 3 pinos Through-Hole totalmente isolado)

• Isolação elétrica: Tensão de isolamento dielétrico de até 2500 Vrms entre terminais e carcaça

• Tecnologia: UniFET™ planar stripe e DMOS projetada para redução de resistência e alta robustez

• Aplicações: Fontes chaveadas SMPS, correção de fator de potência PFC, inversores, TV e displays FPD, no-breaks UPS e reatores eletrônicos

✅ Características elétricas

• Tensão máxima dreno-fonte (VDSS): 250 V

• Corrente contínua de dreno (ID): 51 A a 25 °C / 30 A a 100 °C

• Corrente de dreno pulsada máxima (IDM): 204 A

• Resistência estática em condução (RDS(on)): 48 mΩ típica / 60 mΩ máxima com VGS de 10 V

• Tensão máxima porta-fonte (VGSS): ±30 V

• Tensão de limiar porta-fonte (VGS(th)): 3,0 V a 5,0 V

• Carga de gate total (Qg): 55 nC típica

• Capacitância de transferência reversa (Crss): 63 pF típica

• Dissipação de potência máxima (PD): 38 W a 25 °C

• Energia de avalanche em pulso único (EAS): 1111 mJ

• Faixa de temperatura de operação na junção (TJ): -55 °C a +150 °C

⭐ Vantagens

• Encapsulamento isolado TO-220F que dispensa isoladores de mica ou silicone, agilizando a montagem mecânica

• Baixa resistência RDS(on), minimizando perdas por aquecimento e aumentando a eficiência global do equipamento

• Baixa carga de gate (Qg), reduzindo as exigências do circuito de disparo e as perdas de chaveamento

• Alta capacidade de suportar energia de avalanche (EAS), oferecendo proteção extra contra picos de transientes

• Velocidade de chaveamento veloz e estável, ideal para conversores que operam em frequências elevadas

• Terminais Through-Hole reforçados, garantindo fixação mecânica robusta e confiável na placa

>>>>>FDPF51N25 Datasheet<<<<< 

Especificações