O FGH60N60SM é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) da série Field Stop, projetado para aplicações de alta potência. Aqui estão algumas de suas características principais:

Tensão Reversa Máxima: O FGH60N60SM suporta uma tensão reversa máxima de 600 V1.

Corrente Nominal: Ele é projetado para uma corrente nominal de 60 A.

Tecnologia Field Stop: Utiliza a tecnologia Field Stop, que oferece baixas perdas de condução e comutação.

Baixa Tensão de Saturação: A tensão de saturação VCE (sat) é tipicamente 1,9 V a uma corrente de 60 A.

Alta Impedância de Entrada: Possui alta impedância de entrada, facilitando o acionamento.

Encapsulamento: O FGH60N60SM está disponível em um encapsulamento TO-2471.

Aplicações: É usado em inversores solares, UPS, fontes chaveadas (SMPS), sistemas de aquecimento por indução (IH) e correção do fator de potência (PFC).

Lembrando que, para obter informações detalhadas sobre pinagem específica e outras características elétricas, consulte o datasheet oficial do FGH60N60SM

>>>>>FGH60N60SMD DATASHEET<<<<<