O FQPF10N60C é um MOSFET (Transistor de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor) de canal N, projetado para aplicações de alta tensão. Aqui estão algumas de suas características:

Tensão máxima VCE: 600 V

Corrente contínua do coletor (IC): 9,5 A (a 25 °C)

Resistência on-state (RDS(on)): 730 mΩ (máx.) com VGS = 10 V e ID = 4,75 A

Carga de porta baixa (Qg): 44 nC (típica)

Capacitância de entrada (Ciss): 1570 pF (típica)

Testado para avalanche a 100%

Este MOSFET é adequado para fontes de alimentação comutadas de alta eficiência, correção ativa do fator de potência e balastros eletrônicos para lâmpadas baseados na topologia de meia ponte

>>>FQPF10N60C DATASHEET<<<