G60N100 é um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) com Dreno de Recuperação Rápida (FRD), fabricado pela Taiwan Semiconductor Company, Ltd. Aqui estão algumas das suas principais características elétricas técnicas:
Tensão de Operação: 1000V
Baixa Perda de Condução: VCE(sat) = 2.5V @ IC = 60A
Alta Impedância de Entrada
Alta Velocidade de Comutação
Rugosidade ao Avalanche: Alta
Paralelização Fácil
Descrição dos Pinos:
Pino 1 (Collector): Conector do coletor.
Pino 2 (Emitter): Conector do emissor.
Pino 3 (Gate): Entrada de porta.
Especificações
| Produto | TRANSISTOR |
| Encapsulamento | TO264 |
| Polaridade | IGBT |
| Tensão | 1000V |
| Corrente | 60A |
G60N100 - TO264
- Marca: FAIRCHILD
- Modelo: TO264
- Visto: 2003
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