GT50JR22 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) discreto da Toshiba Semicondutor. Aqui estão algumas de suas características principais:

Tensão máxima de 600 V: O GT50JR22 pode operar com tensões de até 600 V.

Corrente máxima de 50 A: Ele suporta correntes de até 50 A.

6ª geração: Este IGBT faz parte da 6ª geração de dispositivos.

Diodo de roda livre integrado: O GT50JR22 possui um diodo de roda livre (FWD) monoliticamente integrado no chip do IGBT.

Modo de aprimoramento: É um dispositivo de modo de aprimoramento.

Essas características tornam o GT50JR22 adequado para aplicações de inversores de ressonância de corrente.

Especificações

GT50JR22 - TO3P

R$21,90 à vista com 5% no PIX

R$23,05 em até 1x de R$23,05 sem juros
+ Opções de Parcelas

Calcular

Qtd

Disponível: 83 Vendidos: 252

Preencha abaixo os dados de até 5 amigo(s).