GT50JR22 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) discreto da Toshiba Semicondutor. Aqui estão algumas de suas características principais:

Tensão máxima de 600 V: O GT50JR22 pode operar com tensões de até 600 V.

Corrente máxima de 50 A: Ele suporta correntes de até 50 A.

6ª geração: Este IGBT faz parte da 6ª geração de dispositivos.

Diodo de roda livre integrado: O GT50JR22 possui um diodo de roda livre (FWD) monoliticamente integrado no chip do IGBT.

Modo de aprimoramento: É um dispositivo de modo de aprimoramento.

Essas características tornam o GT50JR22 adequado para aplicações de inversores de ressonância de corrente.

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Especificações