GT50JR22 é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) discreto da Toshiba Semicondutor. Aqui estão algumas de suas características principais:
Tensão máxima de 600 V: O GT50JR22 pode operar com tensões de até 600 V.
Corrente máxima de 50 A: Ele suporta correntes de até 50 A.
6ª geração: Este IGBT faz parte da 6ª geração de dispositivos.
Diodo de roda livre integrado: O GT50JR22 possui um diodo de roda livre (FWD) monoliticamente integrado no chip do IGBT.
Modo de aprimoramento: É um dispositivo de modo de aprimoramento.
Essas características tornam o GT50JR22 adequado para aplicações de inversores de ressonância de corrente.
Especificações
Produto | TRANSISTOR |
Polaridade | IGBT |
Tensão | 600V |
Corrente | 50A |
GT50JR22 - TO3P
- Marca: TOSHIBA
- Modelo: TO3P
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