O IRFZ46N é um transistor MOSFET N-Channel de alta potência, ideal para aplicações em inversores, fontes de alimentação e controle de motores de alta corrente. Ele oferece baixa resistência de condução e alta velocidade de chaveamento, garantindo excelente eficiência térmica e elétrica em circuitos robustos.

⚙️ Características principais

Tipo: Transistor MOSFET N-Channel (HEXFET®)
Encapsulamento: TO-220AB de 3 pinos Through-Hole
Aplicações: Inversores de tensão, controle de motor DC, no-breaks (UPS), fontes de alimentação chaveadas (SMPS) e chaveamento geral de potência
Tecnologia: Processo avançado otimizado para alta velocidade de comutação e resistência minimizada

✅ Características elétricas

Tensão dreno-fonte (VDSS): 55 V
Corrente contínua de dreno (Id): 53 A a 25 °C / 37 A a 100 °C
Resistência em condução (RDS(on)): 16,5 mΩ (máxima)
Corrente de dreno pulsada (Idm): 180 A
Tensão de limiar porta-fonte (VGS(th)): 2,0 a 4,0 V
Dissipação de potência máxima (Pd): 107 W a 25 °C
Faixa de temperatura de operação na junção (Tj): -55 °C a +175 °C

⭐ Vantagens

Baixa resistência em condução (RDS(on)), reduzindo consideravelmente o aquecimento e as perdas de energia do sistema
Comutação ultrarrápida, otimizando o chaveamento e o desempenho térmico em projetos de alta frequência
Alta capacidade de corrente contínua e tolerância a picos de surto, garantindo máxima durabilidade ao projeto
Extrema capacidade de operação suportando temperaturas de junção exigentes de até 175 °C
Encapsulamento TO-220AB padrão da indústria, facilitando a fixação mecânica e a instalação em dissipadores de calor

>>>>IIRFZ46N DATASHEET<<<< .