⚙️ Características principais

IGBT NPT de 600V com diodo ultrarrápido integrado Corrente de coletor até 40A em 25°C Baixa queda de tensão VCEsat típica de 2.05V Estrutura robusta com coeficiente térmico positivo Indicado para fontes SMPS, PFC, UPS e conversores ZVS Encapsulamento TO‑220AB padrão

✅ Características elétricas

Tensão coletor emissor 600V Corrente contínua 40A a 25°C e 22A a 100°C Corrente de pico 80A Tensão gate emissor até 20V Diodo interno com corrente contínua de 10A a 25°C Dissipação máxima 215W a 25°C Frequência de chaveamento adequada até cerca de 150kHz

⭐ Vantagens

Alta eficiência devido ao VCEsat reduzido Menor perda de comutação graças ao diodo HEXFRED ultrarrápido Menor capacitância parasita e cauda de corrente mínima Maior confiabilidade e distribuição estreita de parâmetros Permite operação em paralelo com estabilidade térmica Excelente desempenho em topologias de alta velocidade

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