IPA5R190CE é um MOSFET de canal N de alta performance da Infineon Technologies, ideal para aplicações de comutação rápida. Aqui estão algumas das suas principais características técnicas e descrição dos pinos:

Características Técnicas:

1. Tensão de Dreno a Fonte (VDS): 500V

2. Tensão de Dreno a Porta (VGS): ±30V

3. Corrente de Dreno Contínua (ID): 24.8A

4. Corrente de Pico de Dreno (ID(puls)]: 63A (por 8,3ms)

5. Ganho de Porta (hFE): 40 a 160

6. Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 0.19Ω

7. Capacitância de Entrada (Ciss): 730 a 1095 pF

8. Capacitância de Saída (Coss): 190 a 285 pF

9. Capacitância de Transferência (Crss): 12 a 18 pF

10. Tempo de Ligamento (ton): 12 a 18 ns

11. Tempo de Desligamento (toff): 23 a 35 ns

12. Resistência Térmica de Canal para Ambiente (Rth(ch-a)): 58°C/W

13. Faixa de Operação de Temperatura: -55°C a +150°C

14. Encapsulamento: Disponível em PG-TO 220

Descrição dos Pinos:

1. Pin 1: Dreno (Drain) - O terminal pelo qual a corrente flui para dentro do MOSFET.

2. Pin 2: Porta (Gate) - O terminal de controle que regula o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

3. Pin 3: Fonte (Source) - O terminal pelo qual a corrente flui para fora do MOSFET.

Vantagens:

• Alta Capacidade de Comutação: Ideal para aplicações que requerem alta velocidade de comutação.

• Baixa Resistência de Estado Ligado: Reduz as perdas de energia, melhorando a eficiência do circuito.

• Alta Capacidade de Corrente

>>>>IPA5R190CE DATASHEET<<<<

Especificações