IRF5210PBF é um MOSFET de canal P da Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta potência. Aqui estão algumas das principais características de funcionamento, descrição dos pinos e vantagens:

Características de funcionamento:

Tensão de dreno-fonte (Vdss): -100V

Resistência de condução (Rds(on)): 60mΩ

Corrente de dreno contínua (Id): -40A

Capacidade de carga de porta (Qg): 120nC

Tipo de embutimento: TO-220

Aplicações: DC motors, inversores, fontes de alimentação de comutação (SMPS), iluminação, switches de carga e aplicações alimentadas por bateria

Descrição dos pinos:

Dreno (Drain): Conectado ao circuito de saída.

Fonte (Source): Conectado ao terra ou ponto de referência.

Porta (Gate): Conectado ao sinal de controle para ligar/desligar o MOSFET.

Encapsulamento TO-220: Pacote padrão para dissipação de calor.

Vantagens:

Alta eficiência: Baixa resistência de condução, o que reduz as perdas de energia.

Alta capacidade de corrente: Adequado para aplicações que requerem alta corrente.

Proteção contra sobretensão: Adequado para aplicações que podem sofrer picos de tensão.

Disponibilidade: Amplamente disponível e fácil de obter.

Durabilidade: Projetado para ser robusto e durável em diversas condições de operação.  

>>>IRF5210PBF DATASHEET<<<

Especificações