Produto novo e original     

⚙️ Características Técnicas e Elétricas

• Tipo: MOSFET canal P

• Tensão de Dreno-Fonte (Vds): −55 V

• Corrente de Dreno Contínua (Id): −12 A @ 25 °C

• Resistência On (Rds(on)): 0.175 Ω máx. @ Vgs = −10 V

• Potência de dissipação (Pd): 45 W

• Capacitância de entrada (Ciss): 750 pF

• Encapsulamento: TO-220AB

• Temperatura de operação: −55 °C a +175 °C

• Tecnologia: HEXFET® de quinta geração, com alta densidade de corrente e baixa resistência

✅ Vantagens

• Alta eficiência de comutação, ideal para fontes chaveadas, inversores e controle de motores

• Baixa resistência Rds(on), o que reduz perdas e melhora o desempenho térmico

• Robustez contra avalanche, garantindo maior confiabilidade em ambientes exigentes

• Encapsulamento TO-220AB, fácil de montar e com boa dissipação térmica

• Compatível com aplicações automotivas e industriais, graças à faixa de temperatura estendida

                >>>IRF9Z24N DATASHEET<<<

Especificações