IRFB4019PbF é um MOSFET de canal N, ideal para aplicações de amplificadores de áudio Classe D. Aqui estão algumas das características técnicas principais:

Características Técnicas

Tensão de Dreno-Fonte (VDS): 150V

Tensão de Gate-Fonte (VGS): ±20V

Corrente Contínua de Dreno (ID):

17A @ TC = 25°C

12A @ TC = 100°C

Corrente de Dreno Pulsada (IDM): 51A

Dissipação de Potência (PD):

80W @ TC = 25°C

40W @ TC = 100°C

Temperatura de Operação da Junção (TJ): -55°C a +175°C

Resistência Térmica Junção-Caso (RθJC): 1.88°C/W

Vantagens de Uso

Alta Eficiência: Baixa resistência de condução (RDS(on)) e baixa carga de gate (Qg) melhoram a eficiência.

Robustez: Capacidade de operação em temperaturas de junção de até 175°C.

Desempenho em Alta Frequência: Otimizado para reduzir distorção harmônica total (THD) e interferência eletromagnética (EMI).

Aplicações Versáteis: Ideal para amplificadores de áudio Classe D, motores DC, sistemas de gerenciamento de baterias, inversores e conversores DC-DC

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