IRG4PC50UDPBF é um IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) coempacotado com um diodo de recuperação ultrarrápida e suave, ideal para aplicações de alta eficiência e alta frequência. Aqui estão suas principais características técnicas e a descrição dos pinos:

Características Técnicas:

• Tensão máxima de coletor-emissor (Vce): 600V

• Corrente máxima de coletor (Ic): 55A (em 25°C)

• Tensão de saturação do coletor-emissor (Vce(on)): 1,65V (típico, @Vge=15V, Ic=27A)

• Frequência de operação: Otimizado para 8-40 kHz em comutação dura e acima de 200 kHz em modo ressonante.

• Diodo HEXFRED™: Diodo anti-paralelo ultrarrápido e de recuperação suave.

• Encapsulamento: TO-247AC, que oferece excelente dissipação térmica.

• Potência máxima de dissipação (Pd): 200W (em 25°C).

• Temperatura de operação: -55°C a +150°C.

• Tempo de recuperação reversa do diodo: Menor que 50ns.

Descrição dos Pinos:

1. Coletor (C): Entrada principal de corrente.

2. Emissor (E): Saída de corrente para o circuito.

3. Gate (G): Porta de controle que ativa ou desativa o transistor.  

   
   

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Especificações