Características Técnicas do Transistor IRGPS40B120U

Tipo: Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT)

Tensão de Coleta a Emissor (VCES): 1200V

Corrente de Coleta Contínua (IC): 80A a 25°C, 40A a 100°C

Corrente de Coleta Pulsada (ICM): 160A

Corrente de Carga Indutiva (ILM): 160A

Tensão de Porta a Emissor (VGE): ±20V

Potência de Dissipação (PD): 595W a 25°C, 238W a 100°C

Faixa de Operação de Temperatura: -55°C a +150°C

Encapsulamento: Super-247

Descrição dos Pinos

Pin G (Porta): Conecta a porta do transistor.

Pin C (Coleta): Conecta a coleta do transistor.

Pin E (Emissor): Conecta o emissor do transistor.

Funcionamento

O transistor IRGPS40B120U é um IGBT ultra-rápido com tecnologia de Porta Não Punch Through. Ele possui uma excelente capacidade de curto-circuito de 10μs e uma característica de recuperação reversa ultra-soft2. O transistor é ideal para aplicações de controle de motor, oferecendo alta eficiência, desempenho transitório robusto e baixa emissão de interferência (EMI).

Vantagens

Benchmark de Eficiência: Ideal para controle de motores com alta eficiência.

Desempenho Transitório Rugged: Excelente desempenho em condições transitórias.

Baixa EMI: Menor emissão de interferência.

Menos Snubber Necessário: Significativamente menos snubber é necessário.

Excelente Compartilhamento de Corrente em Operação Paralela: Excelente compartilhamento de corrente quando operado em paralelo.

>>>IRGPS40B120U DATASHEET<<<