Características Técnicas

• Tipo: MOSFET de canal N

• Tensão de dreno-fonte (VDSS): 600V

• Resistência de canal ON (RDS(ON)): 0.33Ω (mínima)

• Corrente de fuga (IDSS): 10µA (máx)

• Modo de melhoria: 2.0 a 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)

• Admitância de transferência direta (Yfs): 6.5S (mínima)

Descrição dos Pinos

• Pino 1: Dreno (Drain)

• Pino 2: Fonte (Source)

• Pino 3: Gate (Gate)

Funcionamento

O TK13A60D é um MOSFET de canal N usado em reguladores de comutação. Ele controla a corrente entre o dreno e a fonte com base na tensão aplicada ao gate, permitindo a regulação eficiente de energia.

Vantagens

• Baixa resistência de canal ON: Melhora a eficiência ao reduzir as perdas de energia.

• Alta admitância de transferência direta: Melhora a capacidade de comutação.

• Baixa corrente de fuga: Reduz o consumo de energia em estado de desligamento.

• Modo de melhoria: Facilita o controle preciso da corrente

>>>>TK13A60D DATASHEET<<<<<

Especificações