MDD14N25 é um MOSFET N-channel de alta tensão, fabricado pela MagnaChip Semiconductor. Aqui estão algumas características elétricas e informações sobre os pinos e funcionamento12:

Características Elétricas

Tensão de Dreno-Fonte (V_DS): 250V

Corrente de Dreno (I_D): 10.2A

Resistência de Dreno-Fonte (R_DS(on)): 0.28Ω (máx) a V_GS = 10V

Tensão de Gate-Fonte (V_GS): ±30V

Dissipação de Potência (P_D): 69.4W

Capacitância de Entrada (C_iss): 741pF

Capacitância de Saída (C_oss): 142pF

Capacitância de Transferência Reversa (C_rss): 15pF

Configuração dos Pinos

Gate (G): Terminal de controle que ativa o MOSFET.

Drain (D): Terminal de saída de corrente.

Source (S): Terminal de entrada de corrente.

Funcionamento

O MDD14N25 opera como um interruptor eletrônico de alta eficiência. Quando uma tensão é aplicada ao gate, ele permite que a corrente flua entre o dreno e a fonte. Este MOSFET é ideal para aplicações em fontes de alimentação, conversores DC-DC e circuitos de comutação de alta frequência devido à sua alta tensão de operação e baixa resistência de condução.

>>>MDD14N25 DATASHEET<<<