MDF9N60B é um MOSFET de canal N da MagnaChip, projetado para aplicações de comutação de alta tensão. Aqui vai um resumo completo e direto:

Características técnicas e elétricas

• Tensão drenagem-fonte: 600 V

• Corrente contínua de dreno: 9 A

• Corrente de pulso: 32 A

• Resistência RDS(on): até 0,80 ohm

• Carga total de gate: 23,9 nC

• Dissipação de potência: 48 W

• Temperatura de operação: -55 a 150 °C

• Encapsulamento: TO-220F (isolado)

Descrição dos pinos (TO-220F)

1. Gate (controle)

2. Drain (carga)

3. Source (referência/terra)

Vantagens

• Baixa resistência de condução, o que reduz perdas

• Boa capacidade de comutação rápida

• Encapsulamento isolado facilita montagem térmica

• Ideal para operação em alta tensão com boa eficiência térmica

• Compatível com aplicações que exigem robustez e confiabilidade

Utilização

• Fontes chaveadas (SMPS)

• Correção de fator de potência (PFC)

• Inversores e conversores DC-DC

• Equipamentos industriais e automação

• Aplicações gerais de comutação de potência     

  
  

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Especificações