Características Técnicas
Tipo de Transistor: NPN
Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 160V
Tensão Coletor-Base (VCBO): 180V
Tensão Emissor-Base (VEBO): 6V
Corrente Contínua do Coletor: 600 mA
Temperatura de Operação e Armazenamento: -55°C a +150°C
Dissipação de Potência: 350 mW
Descrição dos Pinos
Pin 1: Coletor (C)
Pin 2: Base (B)
Pin 3: Emissor (E)
Funcionamento
O MMBT5551 é um transistor de uso geral, principalmente utilizado para amplificadores de alta tensão e controladores de displays de descarga de gás. Ele funciona como um interruptor e amplificador em circuitos eletrônicos, controlando a corrente entre o coletor e o emissor com base no sinal de entrada aplicado à base.
Vantagens
Versatilidade: Ideal para aplicações de amplificação de baixa potência e comutação.
Alta Tensão: Capaz de lidar com altas tensões, tornando-o adequado para diversas aplicações industriais.
Compacto: Projetado em um encapsulamento SOT-23, o que economiza espaço na placa.
Compatível com RoHS: Livre de chumbo e halogênios, cumprindo com as normas ambientais.
Especificações
Produto | TRANSISTOR |
Encapsulamento | SOT23 |
Polaridade | BIPOLAR NPN |
Corrente | 5.8A |
MMBT5551, G1 - SOT23
- Marca: ON SEMICONDUCTOR
- Modelo: SOT23
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