SM3119N é um MOSFET de canal N de modo de aprimoramento, fabricado pela Sinopower Semiconductor Inc. Aqui estão algumas de suas principais características:

Características Técnicas

Tensão de Dreno-Fonte (Vds): 30V

Corrente de Dreno (Id): 50A

Resistência de Dreno-Fonte (Rds(on)): 10.5mΩ (máx.) @ Vgs = 10V1

Vantagens

Alta Eficiência: Devido à baixa resistência Rds(on), o SM3119N dissipa menos energia, tornando-o eficiente para aplicações de alta corrente.

Alta Capacidade de Corrente: Com uma capacidade de corrente de até 50A, é adequado para aplicações que exigem alta potência.

Confiabilidade: A construção robusta e a capacidade de operar em uma ampla faixa de temperaturas (-55°C a 150°C) aumentam a confiabilidade do dispositivo.

>>>SM3119N DATASHEET<<<