O IRF640N é um transistor MOSFET do tipo canal-N com várias características importantes para aplicações de potência. Aqui estão os detalhes:
Tensão máxima dreno-fonte (Vds): 200V.
Tensão máxima gate-fonte (Vgs): ±20V.
Corrente máxima de dreno (Id): 18A.
Resistência de estado ativo dreno-fonte (Rds): 0,180 Ohm.
Potência máxima de dissipação: 125W.
Carga total do gate: 70 nC.
Faixa de temperatura de operação: -55 a +175 °C.
Encapsulamento: TO-220AB.
Especificações
| Produto | TRANSISTOR |
| Tipo | MOSFET |
| Encapsulamento | TO220AB |
| Polaridade | N-CHANNEL |
| Tensão | 200V |
| Corrente | 18A |
IRF640N - TO220AB
- Marca: FAIRCHILD
- Modelo: TO220AB
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