L1085DG, L1085, 1085DG, - TO252

Componentes eletrônicos utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>L1085DG DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp ..

R$9,90 à vista com 5.00% no PIX

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P0803BDG, P0803 - TO252

Circuito integrado utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>P0803BDG DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

R$9,90 à vista com 5.00% no PIX

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P2504BDG, P2504B - TO252

Transistor utilizados em vários equipamentos eletrônicos.>>>>P2504BDG DATASHEET<<<<Duvidas é só chamar no Whatsapp = WhatsApp . ..

R$9,90 à vista com 5.00% no PIX

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P5506BDG - TO252

O P5506BDG é um MOSFET de canal N com tensão de dreno-fonte de 60 V e corrente de dreno de até 22 A. Ele oferece baixa resistência de condução e rápida comutação, ideal para aplicações de potência.Características técnicas e elétricas• Tipo: MOSFET de canal N• Tensão máxima dreno-fonte Vds: 60 V• Tensão máxima porta-fonte Vgs: 20 V• Corrente máx..

R$11,90 à vista com 5.00% no PIX

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PK616BA - QFN

O PK616BA é um transistor de efeito de campo (FET) do tipo N-Channel Enhancement Mode. Vamos dar uma olhada nas características elétricas e no encapsulamento:Características Elétricas:Tensão Dreno-Fonte (Vdss): 30VCorrente Contínua de Dreno (Id) a 25°C: 50ATensão de Threshold (Vth) entre o Gate e a Fonte: 2,35V @ 250μAResistência de Condução Dreno-..

R$7,90 à vista com 5.00% no PIX

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PK632BA - QFN

O PK632BA é um transistor de efeito de campo (FET) do tipo N-Channel Enhancement Mode. Vamos dar uma olhada nas características elétricas e no encapsulamento:Características Elétricas:Tensão Dreno-Fonte (Vdss): 30VCorrente Contínua de Dreno (Id) a 25°C: 78ATensão de Threshold (Vth) entre o Gate e a Fonte: 2,35V @ 250μAResistência de Condução Dreno-..

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