O NTR4170N é um MOSFET de potência canal N fabricado pela onsemi, projetado para aplicações portáteis e de gerenciamento de energia em dispositivos compactos.

⚡ Características técnicas e elétricas

Fabricante: onsemi
Tipo: MOSFET canal N
Tensão drenagem-fonte (VDSS): 30 V
Corrente de drenagem contínua: até 4,2 A a 25 °C
Corrente de drenagem em pulso: até 10 A
Resistência RDS(on): 45 mΩ típica a VGS de 10 V
Tensão de porta-fonte (VGS): ±12 V
Dissipação de potência: 1,25 W
Encapsulamento: SOT-23
Dispositivo livre de chumbo (Pb-Free)

???? Vantagens

Baixa resistência RDS(on), reduzindo perdas de condução e aumentando a eficiência energética.
Alta capacidade de corrente, suportando cargas maiores em relação a MOSFETs equivalentes de pequeno porte.
Encapsulamento compacto SOT-23, ideal para placas de circuito em dispositivos portáteis.
Confiabilidade elevada, com construção robusta e conformidade ambiental (Pb-Free).
Aplicações típicas incluem chaveamento de carga em celulares, PDAs, players de mídia, gerenciamento de bateria e fontes portáteis.

>>>>NTR4170N DATASHEET<<<<