características principais do transistor MOSFET AO3407 em português:

Tipo de FET: MOSFET

Polaridade do transistor: P (canal-P)

Máxima disipação de potência (Pd): 1.4 W

Tensão máxima dreno-fonte (Vds): 30 V

Tensão máxima fonte-porta (Vgs): 20 V

Corrente contínua de dreno (Id): 5.3 A

Temperatura máxima de junção (Tj): 150 °C

Tensão de limiar entre porta e fonte (Vgs(th)): 2.5 V

Carga da porta (Qg): 9.2 nC

Tempo de subida (tr): 2.33 ns

Capacitância dreno-fonte (Cd): 90 pF

Resistência dreno-fonte (RDS(on)): 0.0645 Ohm

Invólucro / Pacote: SOT231.

Este dispositivo é adequado para uso como interruptor de carga ou em aplicações PWM

>>>>>AO3407 DATASHEET<<<<<

Especificações