Características Técnicas do Transistor PBSS4160T:

• Tipo: Transistor NPN de baixa tensão de saturação (VCEsat)

• Tensão de Coletor-Emissor (VCEO): 60V

• Corrente de Coletor (IC): 900mA

• Corrente de Coletor Máxima (ICM): 1A

• Ganho (hFE): 150 (mínimo)

• Tensão de Operação Máxima: 250°C

• Tamanho do Pacote: SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)

• Aplicações: Automotiva, Telecomunicações, Industrial, Gerenciamento de Energia (conversão DC-DC, comutação de linha de alimentação, drivers periféricos, drivers de carga indutiva como relés, buzzers e motores)

Descrição dos Pinos:

1. Pino 1 (Coletor): Conectado ao terminal de coletor do transistor.

2. Pino 2 (Base): Conectado ao terminal de base do transistor.

3. Pino 3 (Emissor): Conectado ao terminal de emissor do transistor.

Funcionamento:

O PBSS4160T é um transistor NPN de baixa VCEsat, o que significa que ele possui uma baixa tensão de saturação entre o coletor e o emissor. Isso resulta em alta eficiência e menor geração de calor, tornando-o ideal para aplicações que requerem alta corrente e eficiência energética.

Vantagens:

• Baixa tensão de saturação (VCEsat): Reduz a perda de energia e melhora a eficiência.

• Alta capacidade de corrente de coletor (IC e ICM): Adequado para aplicações que exigem alta corrente.

• Alta eficiência: Reduz a geração de calor, diminuindo a necessidade de dissipadores de calor.

• Redução da área necessária no PCB: Pacote pequeno (SOT23), economizando espaço no circuito impresso.

• Compatível com aplicações automotivas: Qualificado de acordo com AEC-Q101, recomendado para uso em aplicações automotivas. 

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Especificações